Российские ученые предвосхищают технологии будущего, создавая основу технологического суверенитета России. Сотрудники НИЦ «Курчатовский институт» разработали новую концепцию создания материалов для электроники будущего. Эти материалы интегрируют в себе два компонента: функциональный оксид и полупроводниковую платформу. Концепция состоит в управлении интерфейсом оксид/полупроводник на субмонослойном уровне. Предложенный подход универсален и позволяет получать структуры с уникальными свойствами, востребованными в электронике и спинтронике.

Электроника, в основе которой лежит кремниевая платформа, подошла к своему технологическому пределу. Дальнейшее развитие требует создания компактных устройств с низким потреблением энергии, для которых, соответственно, нужны новые материалы. Предложенных российским учеными неортодоксальный дизайн интерфейса может быть использован для разработки новых устройств электроники.